电流传输比hF (ctr) 检测实验

微生物比浊仪器

简介

微生物比浊仪器相关标准： 1、YY/T 0688.2-2010 临床实验室检测和体外诊断系统-感染病原体敏感性试验与抗菌剂敏感性试验设备的性能评价第2部分：抗菌剂敏感性试验设备的性能评价 2、YY/T 0656-2008 自动化血培养系统 3、YY/T 0688.1-2008 临床实验室检测和体外诊断系统感染病原体敏感性试验与抗菌剂敏感性试验设备的性能评价第1部分：...查看详情>>

微生物比浊仪器

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微生物比浊仪器相关标准：
1、YY/T 0688.2-2010 临床实验室检测和体外诊断系统-感染病原体敏感性试验与抗菌剂敏感性试验设备的性能评价第2部分：抗菌剂敏感性试验设备的性能评价
2、YY/T 0656-2008 自动化血培养系统
3、YY/T 0688.1-2008 临床实验室检测和体外诊断系统感染病原体敏感性试验与抗菌剂敏感性试验设备的性能评价第1部分：抗菌剂对感染性疾病相关的快速生长需氧菌的体外活性检测的参考方法

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检测项：电流传输比CTR 检测样品：晶闸管标准：GB/T15291－94《半导体器件第6部分晶闸管》

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值（h21E）检测样品：场效应晶体管标准：GB/T 4586－94《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：接触卡电信号和传输协议检测样品：IC卡标准：GB/T 16649.3-2006 识别卡带触点的集成电路卡第3部分：电信号和传输协议 ISO/IEC 7816-3:2006（E）识别卡-带触点的集成电路卡-第三部分：电信号和传输协议

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：电流传输比（CTR）检测样品：电容器标准：电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：电源电压抑制比(PSRR) 检测样品：半导体集成电路电压调整器标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996

检测项：纹波抑制比 (SRIP) 检测样品：半导体集成电路电压调整器标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996

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中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：电流传输比CTR 检测样品：光电耦合器标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件分立器件第5部分：光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：共发射极正向电流传输比h21E 检测样品：三极管标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：50Hz～100 kHz壳体电流传导敏感度CS109 检测样品：军用设备和分系统标准：(1)GJB151A-1997《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》 (2)GJB152A-1997《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 (3)GJB3590-1999《航天系统电磁兼容性要求

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成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：电流传输比检测样品：电容器标准：半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法 SJ2215.10-1982

检测项：C、B截止电流检测样品：光耦合器标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

检测项：E、B截止电流检测样品：光耦合器标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：电流传输比检测样品：继电器标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.10-1982

检测项：50Hz~100kHz 壳体电流传导敏感度 CS109 检测样品：军用设备、分系统和系统标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量

检测项：50Hz～100kHz环流传导敏感度 CS09 检测样品：军用设备、分系统和系统标准：舰船电磁兼容性要求 HJB 34A-2007

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中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：共发射极静态电流传输比HFE 检测样品：晶体三极管标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

检测项：共摸抑制比KCMR 检测样品：混合集成电路A/D、D/A变换器标准：SJ 20961-2006集成电路A/D、D/A转换器测试方法的基本原理

检测项：分压比η 检测样品：双基极单结晶体管标准：SJ/T10333-1993 单结晶体管测试方法

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西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：半导体晶体三极管标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：半导体晶体三极管标准：半导体分立器件和集成电路第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：半导体晶体三极管标准：半导体分立器件和集成电路第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

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北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：冲击功检测样品：焊接接头和焊接试样标准：金属材料夏比摆锤冲击试验方法GB/T 229-2007

检测项：集电极-基极截止电流检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

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中科华核电技术研究院有限公司核安全电气设备鉴定检测中心

检测项：电流传输比检测样品：光耦合器标准：（2）半导体器件光电子器件分规范 GB 12565-1990

检测项：电流传输比检测样品：半导体集成电路电压调整器标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T 4377-1996

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：固定电感器标准：电子设备用固定电感器_第2部分_分规范表面安装电感器 SJ/T 11287-2003

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：电源电压抑制比检测样品：半导体集成电路电压比较器标准：GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省连云港市更多相关信息>>

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